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在扫描电子显微镜（SEM）中，非导电样品（如聚合物、陶瓷、生物材料等）容易出现充电效应，导致图像发亮、偏移、拉伸、失真甚至无法成像。以下是有效的避免或减弱充电效应的方法：

一、样品预处理方式

金属喷镀导电层

使用金、铂、钯、碳等材料对样品进行 离子溅射镀膜，形成薄而连续的导电膜层（通常几纳米厚）。

优点：有效导电、成像质量好。

注意：会覆盖表面细节，不适用于需要表面成分分析（如EDS）场合。

使用导电胶固定样品

将样品用 导电碳胶 或 铜胶带 粘接于样品台，并连接到接地端，形成良好的电子通路。

样品表面碳涂层

使用碳蒸发或碳喷镀方式生成薄导电层，适用于能谱分析需求（如EDS不希望引入金属背景）。

二、成像参数优化

降低加速电压（1–5 kV）

减少入射电子的穿透深度和表面电荷积累，低电压成像能显著减轻充电问题。

使用低束流（低探针电流）

减少单位时间内注入样品的电子数量，降低电荷积累速度。

切换到环境扫描电镜（ESEM）或低真空模式

在样品腔内引入少量水汽或气体，通过气体分子的电离效应中和样品表面电荷。

优点：无需金属镀膜，保留原始样品形貌。

三、其他方法

斜角成像或减小入射角：可以减少束斑集中在非导电面。

图像平均或积分扫描：减轻图像漂移带来的失真。

选择适当的探测器：使用后散射电子（BSE）成像有时比次级电子（SE）对充电更敏感，可互相补充判断。