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在扫描电镜（SEM）下，样品充电（charging）主要发生在非导电或低导电材料表面，因为电子束轰击后产生的多余电荷无法及时泄放。为了防止充电，可以从样品准备和成像条件两方面入手：

一、样品制备阶段

导电涂层处理

用离子溅射或蒸镀方法在样品表面镀一层薄金属（Au、Pt、Au/Pd）或碳层。

厚度一般 5–20 nm，既能导电又不会明显掩盖表面细节。

如果要做能谱（EDS）分析，建议选碳涂层，避免金属峰干扰。

导电胶或铜胶带接地

样品与样品台之间涂导电银胶、碳胶或贴导电胶带，确保表面涂层与样品台电气连接。

对于形状不规则的样品，可用胶带局部包裹连接到台面。

减少非导电裸露面

对于部分区域非导电的样品，可选择局部喷镀，仅保留感兴趣区域不涂层（但成像难度会增加）。

二、成像条件优化

4. 降低加速电压

将加速电压调低到 1–5 kV，减少电子束穿透深度，降低电荷积累速度。

使用低真空或环境 SEM 模式

在腔体中引入少量气体（如水蒸气），利用气体分子电离中和表面电荷，适合生物样品、湿样品和粉末。

降低束流强度

调低探针电流，减少单位时间电子注入量。

快速扫描 + 多帧累积

避免电子束长时间停留在同一区域，用多帧叠加的方法提升信噪比而不增加充电风险。

三、操作细节

8. 逐步放大

先在低放大倍率下找到目标区域，再逐步放大，减少在小区域的持续轰击。

避免长时间静止束照射

暂停时应先切换到低倍率或关闭束流，避免局部过度充电。