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邻近效应是电子束光刻工艺里难以完全消除的固有物理现象。高能电子轰击样品后，一部分电子会发生前向散射，还有部分电子穿透表层材料后产生背散射，向周边区域扩散。即便只对设计图形区域进行曝光，散射电子也会让图形周边的光刻胶发生额外曝光，造成线条膨胀、拐角区域圆化，密集阵列图形与孤立线条之间出现明显尺寸差异。

图形密度越高，邻近效应带来的影响越突出。密集线条区域相互接收散射电子，整体线宽偏大；孤立线条缺少周边散射贡献，线宽偏小，同一版设计图形出现尺寸不一致，直接影响微纳器件电学性能。目前主流改善方案为邻近效应校正，通过算法预先调整各区域曝光剂量，高密度图形降低曝光剂量，孤立线条适当提升剂量；也可采用更薄的光刻胶层、降低加速电压，减小电子背散射范围。

校正方案没有统一标准，不同加工基底材料、光刻胶类型，散射参数各不相同，需要通过多次试样标定校正模型。在高精度纳米结构制备场景下，邻近效应校正属于必不可少的工艺环节，能够大幅提升图形尺寸均匀性，保障成品良率。