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无掩膜光刻机采用投影式光学曝光方式，光线垂直或者小角度入射到光刻胶层内部，一部分光会在光刻胶与基底的分界面发生反射，反射光和入射光相互干涉，在光刻胶膜层内部形成周期性强弱交替的驻波场，直接改变光刻胶纵向方向上的曝光能量分布。光刻胶内部的光强沿着膜厚方向起伏变化，对应的感光反应程度随之出现分层差异，显影完成之后，图形侧壁上会形成规律的波浪状起伏纹路，侧壁粗糙度上升，严重时还会造成局部线宽上下不一致。

不同型号的无掩膜光刻机光源相干度、偏振状态、入射角度参数性能各不相同，驻波的干涉强度也有明显区别，相干性更高的光源驻波效应会更加显著。光刻胶膜厚、基底材料反射率是关键影响因素，硅基底、金属基底反射能力更强，更容易激发明显驻波；光刻胶厚度如果刚好匹配干涉加强条件，侧壁波纹缺陷会进一步加剧。这种形貌问题不会大幅度改变图形顶面线宽，但是会恶化侧壁垂直度，对于需要高陡直侧壁的微流控结构、光栅器件、MEMS 结构而言，侧壁波纹会直接影响后续镀膜、刻蚀、键合等后续工艺的成品质量，是无掩膜光刻机光学曝光环节中很容易被忽略的光学干涉现象。