中文
English

电子束光刻机使用绝缘基底开展电子束曝光加工时，容易出现图形整体偏移、局部扭曲甚至图形残缺断线，这类问题大多由样品表面充电效应引发。绝缘材料本身不具备导电能力，无法及时导出入射的高能电子，电荷会持续在样品表面积累，形成局部静电场。该静电场会偏转后续入射的电子束运动轨迹，改变电子束落点位置，原本预设的图形坐标发生偏移，严重时会直接造成图形撕裂、变形，导致整片样品加工失效。

基底厚度、表面导电层状态、束流大小、扫描速率都会影响电荷累积速度与静电场强度。束流越大，单位时间内打到样品表面的电子数量越多，电荷积累速度会显著加快；扫描速度过低，同一区域持续接收电子轰击，也会加剧充电现象。在没有蒸镀导电层的绝缘基材上，电荷会长时间滞留于表面，静电场持续存在，图形畸变会随着曝光面积扩大逐步加重。不同品牌型号设备的电子枪、电荷补偿模块参数性能存在差异，面对相同绝缘样品，充电畸变的严重程度也会有所区别，需要结合设备本身特性选择对应的电荷抑制方案，常见手段包含基材表面镀导电薄膜、调节束流参数、开启设备电荷中和功能，以此减少电荷堆积，稳定电子束的落点精度。