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电子束光刻机在制备高密度微纳图形的工艺过程中，经常出现密集线条区域曝光过量、孤立线条曝光不足的现象，图形角部发生圆化变形，关键尺寸出现明显偏差，这就是典型的邻近效应。高能电子束入射光刻胶层之后，会发生两种散射行为，分别为前向散射与背向散射。前向散射是电子在光刻胶内部发生小角度偏转，主要影响图形边缘轮廓，造成线条边缘粗糙度上升；背向散射是高能电子穿透光刻胶层撞击基底材料后反向回弹，将额外曝光能量沉积到目标图形周边区域，相邻图形之间会互相叠加曝光剂量。

图形排布密度越高，剂量叠加作用就越明显，阵列、网格等密集结构接收的总曝光能量远大于独立单根线条，造成同一片样品上不同区域线宽不一致，阵列结构与单独线条的尺寸差异超出工艺允许范围。加速电压、光刻胶厚度、基底材料类型都会改变电子散射的作用范围与能量分布，加速电压越高，电子穿透深度越大，背向散射的影响半径随之扩大；光刻胶越厚，前向散射带来的边缘弥散问题会更加突出。不同型号设备的磁透镜参数、偏转扫描系统性能存在差异，邻近效应的表现程度各不相同，不能直接套用相同的剂量校正方案。在高精度微纳加工工艺中，需要提前开展剂量仿真模拟，根据版图结构、基底材质以及设备固有参数，完成邻近效应校正，降低尺寸偏差带来的工艺报废风险，保障整片样品图形尺寸均匀稳定。