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电子束光刻机在加工高密度微纳图形阵列时，经常出现实际线宽与设计版图出现明显偏差，密集区域线条变宽、孤立线条尺寸偏小，部分间距较小的图形发生粘连融合，直接降低纳米级结构的加工良率，制约器件性能指标的一致性。不同设备的电子枪加速电压、抗蚀剂厚度、基底材质都会改变散射程度，相同版图在不同工况下尺寸偏移程度存在明显差异。

该现象主要来源于电子在抗蚀剂以及基底内部发生的散射作用，分为前向散射与背向散射两类。入射电子进入抗蚀剂层发生小角度前向散射，会轻微拓宽电子束作用范围；部分电子穿透抗蚀剂抵达基底，经过大角度散射后重新返回抗蚀剂内部，在远离束斑的位置额外释放能量，造成非目标区域被间接曝光nanolithog...。图形排布密度越高，周边散射能量叠加越显著，就会出现密集图形过曝、孤立图形曝光不足的现象。加速电压选择不合理、邻近效应校正参数匹配不当、基底原子序数偏高、抗蚀剂膜厚过大，都会进一步放大尺寸偏移问题。版图数据预处理阶段没有针对图形密度做差异化剂量补偿，也会加剧同一批次内部不同区域的尺寸离散。