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无掩膜光刻机作为数字化直写类微纳加工装备，摒弃传统工艺所依赖的实体掩模版，直接读取数字版图完成紫外曝光作业，在各类微纳结构的制备与工艺验证环节发挥十分关键的作用。传统光刻流程当中，只要图形发生改动，就需要重新完成掩模版的加工、检测与入库，整体周期长，还会产生较高的制版成本，面对频繁修改设计、单次产出数量有限的业务场景，无掩膜光刻可以跳过制版全流程，修改版图文件后便可直接上机曝光，大幅压缩工艺迭代的整体周期。

该设备拥有很强的基底兼容能力，除常规硅片晶圆之外，玻璃、石英、蓝宝石、薄片基材以及部分柔性基底都可以开展曝光作业，对于尺寸不规则、局部异形的样品同样具备加工能力，不局限于标准规格晶圆片的生产条件。在实际加工过程中，既可以一次性完成整片基底的阵列、沟槽、网格等整套微纳图形制备，也可以针对样品局部区域开展选择性曝光修补。当基底上部分区域出现图形缺陷，不需要把整片样品报废重做，仅导入局部修改后的数字文件，就能够对目标位置做补曝光处理，有效提升原材料的利用率，减少样品损耗。

同时设备可配合灰度曝光功能，实现梯度深度的微结构成型，不再局限单一深度的沟槽图形，能够加工具备高度渐变特征的微纳形貌。曝光成型之后的光刻胶图形，可以直接对接刻蚀、镀膜、剥离等后续工序，将数字设计的图案稳定转移到基底材料表层，用来验证不同版图方案的实际成型效果，提前排查图形畸变、套刻偏差、边缘形貌等工艺问题，为后续正式生产提供可靠的工艺参考依据。