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DMD 无掩膜光刻机与传统光刻机的核心区别，在于是否使用实体掩膜版以及曝光方式不同。不同厂商系统在分辨率、光源波长、投影倍率和拼接精度等参数上差异较大，因此应用侧重点也不同。

首先是原理差异。DMD 无掩膜光刻机采用数字微镜器件进行图形调制，通过计算机直接控制微镜阵列反射光线，将设计图案实时投射到光刻胶上，无需制作实体掩膜。传统光刻机则依赖石英掩膜版，通过紫外光源一次性整体曝光图形。

其次是工艺流程差异。DMD 系统不需要掩膜版制作，设计文件可直接导入曝光，适合快速迭代和小批量研发；传统光刻在正式生产前必须先制作掩膜版，一旦图形修改就需要重新制版，周期和成本较高。

在分辨率方面，传统光刻（尤其深紫外 DUV 或更先进系统）在大规模生产中具有更高分辨率和更好均匀性，适合亚百纳米量产；DMD 无掩膜光刻通常受限于微镜尺寸和投影光学系统，分辨率一般在微米级到亚微米级，具体取决于光源波长和缩小倍率。

在成本与灵活性方面，DMD 系统设备成本和运行成本较低，不需要频繁制作掩膜，非常适合科研、教学、小批量试产和多版本验证。传统光刻前期掩膜成本高，但在大规模量产中单片成本更低，效率更高。

在曝光方式上，DMD 属于数字投影式，可分区动态曝光，也支持灰度曝光（用于三维微结构加工）；传统光刻多为整版曝光，工艺成熟，稳定性高。

应用场景上，DMD 无掩膜光刻常用于微流控芯片、MEMS 原型验证、传感器开发和实验室快速加工；传统光刻则广泛用于集成电路制造和大规模半导体生产。