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在扫描电镜（SEM）成像中，加速电压的选择会直接影响图像的分辨率、对比度、表面灵敏度和样品损伤程度。不同应用场景和样品类型，对加速电压的选择也不同，以下是关键的考量原则：

1. 根据样品材质选择

非导体或轻元素样品（如生物组织、塑料、陶瓷）：

使用较低的加速电压，一般在 1–5 kV 范围。这样可以减少电荷积聚（充电效应）和样品表面损伤，同时增强表面特征的对比。

导电或重元素样品（如金属、合金、矿物）：

可以使用中高电压，例如 10–20 kV，甚至更高，以获得更深的电子穿透力和更强的信号。

2. 根据成像需求选择

观察样品表面细节（高表面灵敏度）：

使用低电压（1–5 kV）可以抑制电子束穿透，增强表面信号，如二次电子的表面分辨率表现更佳。

需要高分辨率（例如纳米尺度形貌）：

中高电压（5–15 kV）往往能提供更细小的电子束束斑，从而获得更清晰的图像。

需要穿透较厚样品或观察内部结构：

采用高电压（15–30 kV）可增加电子束的穿透深度，更容易激发背散射电子信号。

3. 考虑探测器特性

一些二次电子探测器在低电压下性能较好，而背散射电子探测器通常需要中高电压激发更多信号，选择电压时应结合所使用的探测器类型。

4. 防止样品损伤

对于易受电子束损伤的样品（如聚合物、薄膜），优先选择低电压成像，并控制扫描时间和束流强度，以降低破坏风险。