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铁电材料因其自发的电极化行为而被广泛应用在逻辑运算，数据存储，光电效应等领域。通常在铁电材料中，在一个单胞内正负电荷中心不重合会引发自发电极化因而产生宏观铁电性。近年来，研究者们在二维的范德华层状材料中也发现了铁电性。二维范德华铁电材料因为层间的整体滑移，可以较小的电压下实现铁电极化翻转，从而弥补传统铁电材料的缺陷钉扎效应，因而具有明显的抗疲劳优势。然而，目前铁电性起源在微观结构上的研究十分有限。

2023年，据《Nature》杂志报道基于三层的InSe材料制备的场效应管具有显著高于传统硅基材料的室温弹道比，是目前场效管的最高值，因而有望成为半导体行业中突破硅基摩尔极限的二维材料新方案。块体材料的InSe是二维的”Se-In-In-Se四层结构”（QL）经由范德华键堆叠而成，根据不同的堆叠顺序可组成四种不同的结构相（图1），分别是